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BSC886N03LS G产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | https://www.infineon.com/dgdl/BSC886N03LS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d23d150cd1890 |
产品图片 | |
产品型号 | BSC886N03LS G |
PCN其它 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2100pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8 |
其它名称 | BSC886N03LS G-ND |
功率-最大值 | 39W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Ta), 65A (Tc) |